硅集成式压力传感器设计和使用中的几个主要技术问题

硅集成式压力传感器设计和使用中的几个主要技术问题

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周忠海. 硅集成式压力传感器设计和使用中的几个主要技术问题[J]. 爆炸与冲击, 1984, 4(2): 53-61. doi: 10.11883/1001-1455(1984)02-0053-9

引用本文:

周忠海. 硅集成式压力传感器设计和使用中的几个主要技术问题[J]. 爆炸与冲击, 1984, 4(2): 53-61. doi: 10.11883/1001-1455(1984)02-0053-9

周忠海. 硅集成式压力传感器设计和使用中的几个主要技术问题[J]. 爆炸与冲击, 1984, 4(2): 53-61. doi: 10.11883/1001-1455(1984)02-0053-9

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周忠海. 硅集成式压力传感器设计和使用中的几个主要技术问题[J]. 爆炸与冲击, 1984, 4(2): 53-61. doi: 10.11883/1001-1455(1984)02-0053-9

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doi: 10.11883/1001-1455(1984)02-0053-9

周忠海

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出版历程
- 刊出日期: 1984-04-01

摘要: 本文根据测量爆炸冲击波中对测压传感器的要求,提出高频动态硅集成式压力传感器结构及封装方式。在对动态试验的记录波形进行分析比较中,发现高频硅集成式压力传感器桥臂电阻阻值对记录波形响应的影响。进而对桥臂电阻阻值参数的选择提出见解。文中还叙述了传感器安装条件和为消除在化爆中观测到的干扰波形而对传感器结构做的改进。

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